Preview

Известия высших учебных заведений. Черная Металлургия

Расширенный поиск

Перспективные конструкции газоанализаторов для металлургии

https://doi.org/10.17073/0368-0797-2025-4-342-348

Содержание

Перейти к:

Аннотация

Газовый анализ – один из ключевых методов оценки качества атмосферного воздуха в населенных пунктах, а также в рабочей зоне производств. Особенно необходим мониторинг атмосферного воздуха на объектах, оказывающих значительное негативное воздейст­вие на окружающую среду, в частности, на предприятиях черной металлургии. Особенность газоанализаторов, используемых для системы наблюдения за качеством воздуха, заключается в их чувствительности и селективности. Для достижения данных показателей необходим правильно подобранный чувствительный элемент: преобразователь газоанализатора. В качестве материалов для изготовления преобразователей предлагаются синтезированные твердые растворы полупроводниковых бинарных компонентов, которые зарекомендовали себя как хорошие адсорбенты. В настоящей работе авторы рассмотрели полупроводниковые системы, состоящие из ZnTe и CdSe, условия синтеза твердых растворов на их основе, способы их идентификации, которые позволили аттестовать полученные материалы как твердые растворы замещения с кубической структурой (сфалерита) и гексагональной структурой (вюрцита) (в зависимости от состава). Выполненные рентгенографические, микро-, электронно-микроскопические, ИК-спектроскопические исследования твердых растворов позволили понять структуру поверхности адсорбентов. Результаты исследований химического состава поверхности, кислотно-основных свойств твердых растворов и бинарных компонентов систем позволяют сделать вывод о присутствии на поверхности льисовских и бренстедовских кислотных центров, отвечающих за адсорбцию СО на поверхности. В системах ZnTe – CdSe наблюдается тенденция перехода от слабокислой области к относительному повышению основности поверхности с увеличением содержания ZnTe. При помещении материалов в атмосферу СО в такой же зависимости происходит адсорбция газа на поверхности твердых растворов, что подтвердили прямые каталитические исследования. Установленные закономерности изменений с составом объемных и поверхностных свойств позволяют рекомендовать новые полученные материалы в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков.

Для цитирования:


Васина М.В., Бащенко Л.П. Перспективные конструкции газоанализаторов для металлургии. Известия высших учебных заведений. Черная Металлургия. 2025;68(4):342-348. https://doi.org/10.17073/0368-0797-2025-4-342-348

For citation:


Vasina M.V., Bashchenko L.P. Promising designs of gas analyzers for metallurgy. Izvestiya. Ferrous Metallurgy. 2025;68(4):342-348. https://doi.org/10.17073/0368-0797-2025-4-342-348

Введение

Содержание угарного газа в атмосферном воздухе промышленной зоны металлургических предприятий зачастую превышает установленные допустимые нормы, что создает угрозу для здоровья сотрудников предприятий и для окружающей среды в целом. Для контроля качества воздуха используют газоанализаторы, которые за счет объемных и поверхностных свойств чувствительных элементов обладают высокими чувствительностью, оперативностью и избирательностью. Своевременное обнаружение угарного газа на производственной площадке способствует предотвращению аварийных ситуаций, уменьшению ущерба окружающей среде и здоровью персонала.

В качестве чувствительных элементов газоанализаторов используют полупроводниковые материалы, которые зарекомендовали себя как хорошие адсорбенты [1]. Чувствительность таких материалов основана на адсорбции молекул газа на поверхности, образовании областей пространственного заряда и изменении концентрации носителей заряда в приповерхностном слое. На величину адсорбции влияют структурный тип полупроводника, природа и концентрация активных центров на его поверхности и величина удельной поверхности [2]. Фиксация газоанализатором угарного газа из воздушных сред происходит за счет изменения электропроводности чувствительного элемента (сенсорный сигнал) при попадании на него определяемого вещества [3], поэтому выбор материала, используемого в качестве чувствительного элемента, является актуальным. Улучшить адсорбционные способности бинарных компонентов и использовать их в качестве чувствительного элемента (первичного преобразователя) позволяет синтез алмазоподобных полупроводников с получением новых многокомпонентных перспективных материалов (твердых растворов).

Научный и практический интерес представляет исследование ранее не изученных физико-химических свойств твердых растворов на основе ZnTe и CdSe, которые обладают хорошими характеристиками при маленькой стоимости, что дает основание сделать вывод о перспективности применения этих материалов [4]. При определенном соотношении компонентов системы ZnTe – CdSe получаются твердые растворы с различными свойствами, и, соответственно, возможно их разнообразное использование.

Целью настоящей работы являются получение и идентификация твердых растворов системы ZnTe – CdSe, определение областей практического применения полученных материалов на основе изученных их физико-химических свойств.

Исходя из актуальности и цели работы, были поставлены следующие задачи:

– получить и аттестовать твердые растворы систем ZnTe – CdSe;

– исследовать физико-химические свойства поверхностей компонентов систем;

– оценить области практического применения полученных материалов для сенсорной техники как менее дорогостоящих.

 

Материалы и методы исследования

Исследуемыми объектами являлись тонкодисперсные порошки (Sуд = 0,3 ÷ 0,91 м2/г – удельная площадь поверхности) бинарных соединений ZnTe, CdSe и твердого раствора на их основе (ZnTe)x(CdSe)1 – x, полученного по специально разработанной методике применительно к указанной системе [5]. Заключение о завершении синтеза, получении твердых растворов и их структуре делали по результатам рентгенографических, микро- и электронно-микроскопических, ИК-спектроскопических исследований. Мольные составы полученных твердых растворов сверяли с элементными, найденными на основе SEM-изображений.

Рентгенографические исследования осуществляли на приборе D8 Advance Powder X-Ray фирмы «Bruker» AXS (Германия) в CuKα-излучении (λ = 0,15406 нм – длина волны, Т = 293 К – температура исследований) по методике большеугловых съемок [6; 7] с использованием позиционно-чувствительного детектора Lynxeye, а также базы данных по порошковой дифракции ICDDIPDF-2 и программы TOPAS 3,0 (Bruker) для расшифровки рентгенограмм (дифрактограмм) и уточнения параметров кристаллических решеток [8] соответственно.

Микроскопические исследования проводили на приборах КН 8700 (Компания Hilox, Япония) и Микромед «Полар-3» с разрешающей способностью до 7000 [9]; электронно-микроскопические – на сканирующем электронном микроскопе JCM–5700, оборудованном приставкой для энергодисперсионного анализа JED-2300 [10].

Кислотно-основные свойства поверхности изучали методами гидролитической адсорбции (определение рН-изоэлектрического состояния) и неводного кондуктометрического титрования [11]. Каталитические исследования проводили безградиентным проточно-циркуляционным методом (в условиях, исключающих влияние процессов массо- и теплопередачи: Т = 298 ÷ 423 К; р = 101,3 кПа – давление; скорость циркуляции газа-носителя 22 мл/мин; объем импульса 5 мл) с последующим хроматографическим анализом. В качестве газа-носителя применяли аргон.

При использовании метода гидролитической адсорбции находили рН среды, в которой адсорбенты-амфолиты (амфотерные соединения) отщепляют равные (незначительные) количества ионов Н+ и ОН. В роли таковых выступали ZnTe, CdSe и твердые растворы (ZnTe)x (CdSe)1 – x с характерными изоэлектрическими точками, отвечающими минимуму растворимости. По значениям рНизо судили о средней силе и соотношении кислотных и основных центров.

Воспроизводимость и точность экспериментальных данных проверяли по результатам параллельных измерений с использованием методов математической статистики и обработки результатов количественного анализа. Статистическую обработку полученных числовых значений, расчет погрешностей измерений, построение и обработку графических зависимостей проводили с использованием компьютерных программ Stat-2, Microsoft Excel и Origin.

 

Результаты исследований и их обсуждение

Синтез твердых растворов осуществляли в два этапа: нагрев ампул от 573 до 1273 К и их охлаждение до 725 К [12; 13]. Режим получения твердых растворов представлен в табл. 1.

 

Таблица 1. Режим получения твердых растворов
на основе компонентов системы ZnTe – CdSe

 
РежимТемпература
выдержки, °С
Время
выдержки, ч
Нагрев30021,0
50019,0
60010,0
70037,0
80029,0
90020,5
100029,0
Охлаждение90050,0
70025,0
500111,0
Итого 351,5
 

 

Результаты рентгенографических исследований свидетельствуют об образовании в полученной системе твердых растворов замещения. Линии на штрих-рентгенограммах твердых растворов сдвинуты относительно линий бинарных компонентов [14]. Теллурид цинка и твердые растворы с его избытком имеют кубическую структуру (сфалерита), селенид кадмия и твердые растворы с избытком CdSe – гексагональную структуру (вюрцита) [15].

Зависимости значений параметров (а, с), объема элементарной ячейки (Vp) кристаллической решетки, межплоскостного расстояния (dhkl), рентгеновской плотности (ρr ) от состава имеют плавный или линейный характер [16]. По уравнению Шеррера рассчитана область когерентного рассеяния.

Информация о взаимном распределении компонентов получена методом электронной микроскопии на сканирующем электронном микроскопе JCM-5700, снабженном безазотным рентгеновским энергодисперсионным спектрометром.

На рис. 1 представлены SEM изображения порошков бинарных компонентов и твердых растворов изучаемой системы.

 

Рис. 1. SEM изображения порошков CdSe (а), (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 (б),
(ZnTe)0,68(CdSe)0,32 (в) и ZnTe (г),
полученных при разном увеличении (1 – 2)

 

На SEM изображениях твердых растворов системы ZnTe – CdSe в режиме фазового контраста на однородном фоне поверхности зерен ZnTe наблюдаются светлые вкрапления CdSe размером менее 5 мкм. Для бинарного компонента ZnTe характерны крупнодисперсные зерна, что наблюдается и в твердых растворах при большем содержании ZnTe (табл. 2).

 

Таблица 2. Результаты подсчета частиц микроскопическим анализом

СоставКоличество частиц размерами, мкм
5 – 710 – 14,515 – 17,518 – 2021 – 2425 – 3132 – 3537 – 4041 – 4350 – 5357 – 60
CdSe224325
(ZnTe)0,12(CdSe)0,88525361
(ZnTe)0,26(CdSe)0,7449643
(ZnTe)0,68(CdSe)0,3254244
(ZnTe)0,75(CdSe)0,25324642
ZnTe1244313

 

Величину геометрической удельной поверхности, среднеповерхностный, среднечисленный и средневесовой диаметры частиц, коэффициент полидисперсности (табл. 3) систем рассчитывали по формулам:

 

\[\begin{array}{c}S = \frac{{6\sum {{n_i}d_i^2} }}{{{\rm{\rho }}\sum {{n_i}{d_i}} }} = \frac{6}{{{\rm{\rho }}{d_s}}};\\K = \frac{{{d_n}}}{{{d_q}}},\end{array}\]

 

где S – удельная геометрическая поверхность, м2/кг; di – средний диаметр частиц фракций; n – число частиц в системе; ρ – рентгеновская плотность частиц; ds, dn, dq – среднеповерхностный, среднечисленный и средневесовой диаметры частиц соответсвенно; K – коэффициент полидисперсности.

 

Таблица 3. Результаты дисперсионного анализа

 
Составdn, мкмS, м2/кгK
CdSe19,047,30,76
(ZnTe)0,12(CdSe)0,8814,344,40,56
(ZnTe)0,26(CdSe)0,7418,350,60,82
(ZnTe)0,68(CdSe)0,3219,446,60,81
(ZnTe)0,75(CdSe)0,2517,542,60,66
ZnTe38,522,90,78
 

 

Изучение химического состава методом кондуктометрического титрования позволило сделать вывод о природе кислотных центров, ответственных за адсорбцию газов на поверхность [17], и определить концентрацию кислотных центров на поверхности компонентов системы ZnTe – CdSe. Ответственными за кислотные центры выступают: поверхностные атомы с различной координационной ненасыщенностью – атомы Cd, Zn (льисовские кислотные центры), а также адсорбированные молекулы воды и группы ОН (бренстедовские центры) [18]. Подтверждением этого являются результаты измерения рН изоэлектрического состояния и ИК-спектры поверхности [19].

Зависимость общей концентрации кислотных центров имеет экстремальный характер с максимумом при составах (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 (рис. 2). Таким образом, твердые растворы указанных составов обладают наибольшей кислотностью в первом случае, что говорит о высокой адсорбционной способности поверхности (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 по отношению к основным газам.

 

Рис. 2. Зависимость общей концентрации кислотных центров
компонентов системы ZnTe – CdSe, экспонированных на воздухе

 

Повышенную активность поверхности твердых растворов (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 и (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 к основным газам подтверждает и изучение кислотно-основных свойств. Значения рНизо исследуемых полупроводников (табл. 4), экспонированных на воздухе, плавно возрастают с увеличением содержания ZnTe. При воздействии СО на компоненты системы ZnTe – CdSe появляются экстремумы, отвечающие составам (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 и (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 , а в целом отмечается смещение значений рНизо в щелочную область. Это объясняется избыточной электронной плотностью атомов углерода и кислорода и прочной двойной связью между ними. Неподеленные электронные пары СО и свободные орбитали частично гасят на поверхности координационно-ненасыщенные атомы (Zn, Cd), за счет этого и происходит взаимодействие. Подтверждается донорно-акцепторный механизм [20].

 

Таблица 4. Значения рН изоэлектрического состояния поверхности
твердых растворов ZnTe – CdSe
(x – мол. доли ZnTe) при экспонировании на воздухе (I)
и в атмосфере СО (II)

 
Условия
 экспони-
рования
рН изоэлектрического состояния поверхности твердых растворов ZnTe – CdSe при x
012266875100
I7,877,217,157,127,016,84
II8,357,377,827,757,327,80
 

 

Наибольшая разница значений рНизо у CdSe и твердых растворов, содержащих 26 % ZnTe в CdSe и 68 % ZnTe в CdSе. Эти объекты исследований и рассматривали в качестве чувствительного элемента газоанализатора на угарный газ.

Поведение рНизо в СО, а также вытекающий из анализа ИК-спектров вывод о повышенной адсорбируемости СО в смеси СО + О2 [19] позволяют предварительно (до проведения прямых адсорбционных исследований) прогнозировать высокую каталитическую активность твердых растворов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 , что было подтверждено прямыми каталитическими исследованиями, проведенными при одинаковых условиях (рис. 3).

 

Рис. 3. Зависимости степени превращения (χCO )
от температуры (T) компонентов системы ZnTe – CdSe:
ZnTe (1), (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 (2), (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 (3), CdSe (4)

 

Анализ представленных результатов позволяет говорить о заметном каталитическом превращении СО (χCO ) уже при комнатной температуре: степень превращения СО на компонентах системах состава (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 составляет 79 %. С повышением температуры значения χCO преимущественно возрастают, максимальные значения наблюдаются при 373 К.

Сравнение данных о степени превращения каталитического окисления и величины адсорбции СО на полупроводниках показало, что CdSe и твердый раствор (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 проявляют более высокую каталитическую активность, что согласуется с исследованиями кислотно-основных свойств поверхности, а ZnTe проявляет меньшую каталитическую активность и адсорбционную способность.

Таким образом, из бинарных компонентов ZnTe и CdSe синтезированы твердые растворы замещения. Полученные твердые растворы имеют кубическую структуру с избытком теллурида цинка и гексагональную структуру с избытком селенида кадмия. Исследования твердых растворов методом электронной микроскопии подтвердили мольный и элементный состав образцов.

Для образцов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 удельная поверхность наибольшая. Такая же закономерность по данным образцам прослеживается при изучении природы активных центров поверхности твердых растворов при экспонировании на воздухе и в атмосфере СО методом гидролитической адсорбции, неводного кондуктометрического титрования, что говорит об активной поверхности этих растворов по отношению к угарному газу. Повышенную адсорбируемость в СО и смеси СО + О2 подтверждают и ИК-спектры.

 

Выводы

Изучение реакции каталитического окисления СО на образцах системы ZnTe – CdSe предварительно помогло установить температурные области протекания реакции и наиболее каталитически активные компоненты изучаемой системы. Каталитические исследования подтвердили активность твердых растворов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 , что позволяет рекомендовать их к использованию в диагностике окружающей среды для определения угарного газа в рабочей зоне металлургических предприятий.

 

Список литературы

1. Fang X., Zhai T., Gautam U.K., Li L., Wu L., Bando Y., Golberg D. ZnS nanostructures: From synthesis to applications. Progress in Materials Science. 2011;56(2):175–287. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2010.10.001

2. Kirovskaya I.A., Nor P.E., Ekkert A.O., Ekkert R.V., Cher­nous N.V. New materials based on the systems InP–CdTe and CdS–CdTe; Their comparative properties. Inorganic Mate­rials: Applied Research. 2023;14(4):1075–1081. https://doi.org/10.1134/s2075113323040214

3. Peter Y.Yu., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Material Properties. Springer; 2010:775. https://doi.org/10.1007/978-3-642-00710-1

4. Kirovskaya I.A., Nor P.E., Bukashkina T.L., Mironova E.V. Surface properties of semiconductor analogs of CdBVI and their solid substitution solutions. Russian Journal of Physical Chemistry A. 2016;90(3):522–529. https://doi.org/10.1134/S0036024416030213

5. Кировская И.А. Физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. Новосибирск: Изд-во СО РАН; 2015:368.

6. Смыслов Е.Ф. Экспрессный рентгеновский метод определения периода решетки нанокристаллических мате­риалов. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2006;72(5):33–34.

7. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электроннооптический анализ. Москва: Металлургия; 1970:366.

8. Федяева О.А., Васина М.В., Пошелюжная Е.Г. Рентгеновские и электронно-микроскопические исследования системы ZnTe–CdSe. Журнал неорганической химии. 2014;59(2):172–175. https://doi.org/10.7868/S0044457X14020068

9. Кларк Э.Р., Эберхардт К.Н. Микроскопические мето­­ды исследования материалов. Москва: Техносфера; 2007:375.

10. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического применения / М.М. Криштал, И.С. Ясников, В.И. Полунин. Москва: Техносфера; 2009:206.

11. Кировская И.А. Катализ. Полупроводниковые катализаторы. Омск: Изд-во ОмГТУ; 2004:272.

12. Charbonnier M., Murat M. Sur la détermination des diagrammes de phases à température ambiante des sulfures mixtes appartenant aux systèmes Zn-Cd-S, Zn-Hg-S, Cd-Hg-S. Comptes Rendus de l’Académie des Sciences. 1974;278(4):259–261. (In French).

13. Cherin P., Lind E.L., Davis E.A. The preparation and crystallography of cadmium zinc sulfide solid solutions. Journal of the Electrochemical Society. 1970;117(2):233–236.

14. Кировская И.А., Васина М.В. Структура и кислотно-основные свойства поверхности полупроводников системы ZnTe–CdSe. Журнал физической химии. 2014;88(10): 1569–1576. https://doi.org/10.7868/S0044453714100227

15. Čapek R.K., Moreels I., Lambert K., De Muynck D., Zhao Q., Tomme A.V., Vanhaecke F., Hens Z. Optical pro­perties of zincblende cadmium selenide quantum dots. Journal of Physical Chemistry C. 2010;114(14):6371–6376. https://doi.org/10.1021/jp1001989

16. Goldstein J.I., Newbury D.E., Echlin P., Joy D.C., Lyman C.E., Lifshin E., Sawyer L., Michael J.R. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis. New York: Plenum Press; 2003:708. https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0215-9

17. Kirovskaya I.A., Ekkert R.V., Umansky I.Yu., Ekkert A.O., Kropotin O.V. Comparison of the bulk and surface properties of InBV–ZnS semiconductor solid solutions. Semiconductors. 2020;54(11):1459–1466. https://doi.org/10.1134/S1063782620110147

18. Кировская И.А., Васина М.В., Миронова Е.В., Бруе­­ва О.Ю., Эккерт А.О., Жигарова О.Ю. Относительное влияние бинарных компонентов на объемные и поверхностные свойства твердых растворов систем GaAs–CdSe и ZnTe–CdSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2021;(4):12–18. https://doi.org/10.31857/S1028096021040051

19. Кировская И.А., Васина М.В., Юрьева А.В., Шалае­­ва М.Е., Еремин Е.Н., Матяш Ю.И., Корнеев С.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверх­ности твердых растворов (ZnTe)x(CdSe)1–x. Омский научный вестник. 2014;(1(127)):32–37.

20. Aven M. Mobility of holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. Journal of Applied Physics. 1967; 38(11):4421–4430. https://doi.org/10.1063/1.1709141


Об авторах

М. В. Васина
Омский государственный технический университет
Россия

Марина Владимировна Васина, к.х.н., доцент кафедры «Промышленная экология и безопасность»

Россия, 644050, Омск, пр. Мира, 11



Л. П. Бащенко
Сибирский государственный индустриальный университет
Россия

Людмила Петровна Бащенко, к.т.н., доцент кафедры тепло­энергетики и экологии

Россия, 654007, Кемеровская обл. – Кузбасс, Новокузнецк, ул. Кирова, 42



Рецензия

Для цитирования:


Васина М.В., Бащенко Л.П. Перспективные конструкции газоанализаторов для металлургии. Известия высших учебных заведений. Черная Металлургия. 2025;68(4):342-348. https://doi.org/10.17073/0368-0797-2025-4-342-348

For citation:


Vasina M.V., Bashchenko L.P. Promising designs of gas analyzers for metallurgy. Izvestiya. Ferrous Metallurgy. 2025;68(4):342-348. https://doi.org/10.17073/0368-0797-2025-4-342-348

Просмотров: 5


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0368-0797 (Print)
ISSN 2410-2091 (Online)