<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">blackmet</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Черная Металлургия</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izvestiya. Ferrous Metallurgy</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0368-0797</issn><issn pub-type="epub">2410-2091</issn><publisher><publisher-name>National University of Science and Technology "MISIS"</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17073/0368-0797-2025-4-342-348</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">blackmet-2924</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ЭКОЛОГИЯ И РАЦИОНАЛЬНОЕ ПРИРОДОПОЛЬЗОВАНИЕ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>ECOLOGY AND RATIONAL USE OF NATURAL RESOURCES</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Перспективные конструкции газоанализаторов для металлургии</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Promising designs of gas analyzers for metallurgy</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-0236-8151</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Васина</surname><given-names>М. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Vasina</surname><given-names>M. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Марина Владимировна Васина, к.х.н., доцент кафедры «Промышленная экология и безопасность»</p><p>Россия, 644050, Омск, пр. Мира, 11</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Marina V. Vasina, Cand. Sci. (Chem.), Assist. Prof. of the Chair of Indust­rial Ecology and Safety</p><p>11 Mira Str., Omsk 644050, Russian Federation</p></bio><email xlink:type="simple">896099949132@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-1878-909X</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Бащенко</surname><given-names>Л. П.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Bashchenko</surname><given-names>L. P.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Людмила Петровна Бащенко, к.т.н., доцент кафедры тепло­энергетики и экологии</p><p>Россия, 654007, Кемеровская обл. – Кузбасс, Новокузнецк, ул. Кирова, 42</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Lyudmila P. Bashchenko, Cand. Sci. (Eng.), Assist. Prof. of the Chair “Thermal Power and Ecology”</p><p>42 Kirova Str., Novokuznetsk, Kemerovo Region – Kuzbass 654007, Russian Federation</p></bio><email xlink:type="simple">luda.baschenko@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Омский государственный технический университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Omsk State Technical University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Сибирский государственный индустриальный университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Siberian State Industrial University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2025</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>22</day><month>08</month><year>2025</year></pub-date><volume>68</volume><issue>4</issue><fpage>342</fpage><lpage>348</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Васина М.В., Бащенко Л.П., 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Васина М.В., Бащенко Л.П.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Vasina M.V., Bashchenko L.P.</copyright-holder><license license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://fermet.misis.ru/jour/article/view/2924">https://fermet.misis.ru/jour/article/view/2924</self-uri><abstract><p>Газовый анализ – один из ключевых методов оценки качества атмосферного воздуха в населенных пунктах, а также в рабочей зоне производств. Особенно необходим мониторинг атмосферного воздуха на объектах, оказывающих значительное негативное воздейст­вие на окружающую среду, в частности, на предприятиях черной металлургии. Особенность газоанализаторов, используемых для системы наблюдения за качеством воздуха, заключается в их чувствительности и селективности. Для достижения данных показателей необходим правильно подобранный чувствительный элемент: преобразователь газоанализатора. В качестве материалов для изготовления преобразователей предлагаются синтезированные твердые растворы полупроводниковых бинарных компонентов, которые зарекомендовали себя как хорошие адсорбенты. В настоящей работе авторы рассмотрели полупроводниковые системы, состоящие из ZnTe и CdSe, условия синтеза твердых растворов на их основе, способы их идентификации, которые позволили аттестовать полученные материалы как твердые растворы замещения с кубической структурой (сфалерита) и гексагональной структурой (вюрцита) (в зависимости от состава). Выполненные рентгенографические, микро-, электронно-микроскопические, ИК-спектроскопические исследования твердых растворов позволили понять структуру поверхности адсорбентов. Результаты исследований химического состава поверхности, кислотно-основных свойств твердых растворов и бинарных компонентов систем позволяют сделать вывод о присутствии на поверхности льисовских и бренстедовских кислотных центров, отвечающих за адсорбцию СО на поверхности. В системах ZnTe – CdSe наблюдается тенденция перехода от слабокислой области к относительному повышению основности поверхности с увеличением содержания ZnTe. При помещении материалов в атмосферу СО в такой же зависимости происходит адсорбция газа на поверхности твердых растворов, что подтвердили прямые каталитические исследования. Установленные закономерности изменений с составом объемных и поверхностных свойств позволяют рекомендовать новые полученные материалы в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Gas analysis is one of the key methods for assessing the quality of atmospheric air in populated areas, as well as in the work area of production facilities. Atmospheric air monitoring is especially necessary at facilities that have a significant negative impact on the environment, in parti­cular, at ferrous metallurgy enterprises. The peculiarities of the gas analyzers used for air quality monitoring system are their sensitivity and selectivity. To achieve these indicators, a properly selected sensing element is needed: a gas analyzer converter. Synthesized solid solutions of semiconductor binary components, which proved themselves to be good adsorbents, are proposed as materials for the manufacture of converters. In this paper, the authors examined semiconductor systems consisting of ZnTe and CdSe, conditions for synthesis of the solid solutions based on them, and methods for their identification, which allowed the obtained materials to be certified as solid substitution solutions with cubic spha­lerite and hexagonal wurtzite structures (depending on the composition). X-ray, micro-, electron-microscopic, and IR spectroscopic studies of solid solutions made it possible to understand the surface structure of adsorbents. Results of the studies of the surface chemical composition, acid-base properties of solid solutions and binary components of the system allow us to conclude that the Lewis and Brønsted acid centers responsible for CO adsorption on the surface are present on the surface. In the ZnTe – CdSe systems, there is a tendency to move from a slightly acidic region to a relative increase in the surface basicity with an increase in ZnTe content. When materials are placed in a CO atmosphere, gas adsorption on the surface of solid solutions occurs in the same dependence, which was confirmed by the direct catalytic studies. The established patterns of changes with the composition of bulk and surface properties allow us to recommend new obtained materials as primary converters of sensors.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>газоанализатор</kwd><kwd>угарный газ</kwd><kwd>полупроводник</kwd><kwd>новые материалы</kwd><kwd>твердые растворы</kwd><kwd>химический состав</kwd><kwd>поверхностные и объемные свойства</kwd><kwd>закономерности</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>gas analyzer</kwd><kwd>carbon monoxide</kwd><kwd>semiconductor</kwd><kwd>new materials</kwd><kwd>solid solution</kwd><kwd>chemical composition</kwd><kwd>surface and bulk properties</kwd><kwd>regularities</kwd></kwd-group></article-meta></front><body><p>Введение</p><p>Содержание угарного газа в атмосферном воздухе промышленной зоны металлургических предприятий зачастую превышает установленные допустимые нормы, что создает угрозу для здоровья сотрудников предприятий и для окружающей среды в целом. Для контроля качества воздуха используют газоанализаторы, которые за счет объемных и поверхностных свойств чувствительных элементов обладают высокими чувствительностью, оперативностью и избирательностью. Своевременное обнаружение угарного газа на производственной площадке способствует предотвращению аварийных ситуаций, уменьшению ущерба окружающей среде и здоровью персонала.</p><p>В качестве чувствительных элементов газоанализаторов используют полупроводниковые материалы, которые зарекомендовали себя как хорошие адсорбенты [<xref ref-type="bibr" rid="cit1">1</xref>]. Чувствительность таких материалов основана на адсорбции молекул газа на поверхности, образовании областей пространственного заряда и изменении концентрации носителей заряда в приповерхностном слое. На величину адсорбции влияют структурный тип полупроводника, природа и концентрация активных центров на его поверхности и величина удельной поверхности [<xref ref-type="bibr" rid="cit2">2</xref>]. Фиксация газоанализатором угарного газа из воздушных сред происходит за счет изменения электропроводности чувствительного элемента (сенсорный сигнал) при попадании на него определяемого вещества [<xref ref-type="bibr" rid="cit3">3</xref>], поэтому выбор материала, используемого в качестве чувствительного элемента, является актуальным. Улучшить адсорбционные способности бинарных компонентов и использовать их в качестве чувствительного элемента (первичного преобразователя) позволяет синтез алмазоподобных полупроводников с получением новых многокомпонентных перспективных материалов (твердых растворов).</p><p>Научный и практический интерес представляет исследование ранее не изученных физико-химических свойств твердых растворов на основе ZnTe и CdSe, которые обладают хорошими характеристиками при маленькой стоимости, что дает основание сделать вывод о перспективности применения этих материалов [<xref ref-type="bibr" rid="cit4">4</xref>]. При определенном соотношении компонентов системы ZnTe – CdSe получаются твердые растворы с различными свойствами, и, соответственно, возможно их разнообразное использование. </p><p>Целью настоящей работы являются получение и идентификация твердых растворов системы ZnTe – CdSe, определение областей практического применения полученных материалов на основе изученных их физико-химических свойств. </p><p>Исходя из актуальности и цели работы, были поставлены следующие задачи: </p><p>– получить и аттестовать твердые растворы систем ZnTe – CdSe;</p><p>– исследовать физико-химические свойства поверхностей компонентов систем;</p><p>– оценить области практического применения полученных материалов для сенсорной техники как менее дорогостоящих.</p><p> </p><p>Материалы и методы исследования</p><p>Исследуемыми объектами являлись тонкодисперсные порошки (Sуд = 0,3 ÷ 0,91 м2/г – удельная площадь поверхности) бинарных соединений ZnTe, CdSe и твердого раствора на их основе (ZnTe)x(CdSe)1 – x , полученного по специально разработанной методике применительно к указанной системе [<xref ref-type="bibr" rid="cit5">5</xref>]. Заключение о завершении синтеза, получении твердых растворов и их структуре делали по результатам рентгенографических, микро- и электронно-микроскопических, ИК-спектроскопических исследований. Мольные составы полученных твердых растворов сверяли с элементными, найденными на основе SEM-изображений. </p><p>Рентгенографические исследования осуществляли на приборе D8 Advance Powder X-Ray фирмы «Bruker» AXS (Германия) в CuKα-излучении (λ = 0,15406 нм – длина волны, Т = 293 К – температура исследований) по методике большеугловых съемок [6; 7] с использованием позиционно-чувствительного детектора Lynxeye, а также базы данных по порошковой дифракции ICDDIPDF-2 и программы TOPAS 3,0 (Bruker) для расшифровки рентгенограмм (дифрактограмм) и уточнения параметров кристаллических решеток [<xref ref-type="bibr" rid="cit8">8</xref>] соответственно.</p><p>Микроскопические исследования проводили на приборах КН 8700 (Компания Hilox, Япония) и Микромед «Полар-3» с разрешающей способностью до 7000 [<xref ref-type="bibr" rid="cit9">9</xref>]; электронно-микроскопические – на сканирующем электронном микроскопе JCM–5700, оборудованном приставкой для энергодисперсионного анализа JED-2300 [<xref ref-type="bibr" rid="cit10">10</xref>].</p><p>Кислотно-основные свойства поверхности изучали методами гидролитической адсорбции (определение рН-изоэлектрического состояния) и неводного кондуктометрического титрования [<xref ref-type="bibr" rid="cit11">11</xref>]. Каталитические исследования проводили безградиентным проточно-циркуляционным методом (в условиях, исключающих влияние процессов массо- и теплопередачи: Т = 298 ÷ 423 К; р = 101,3 кПа – давление; скорость циркуляции газа-носителя 22 мл/мин; объем импульса 5 мл) с последующим хроматографическим анализом. В качестве газа-носителя применяли аргон.</p><p>При использовании метода гидролитической адсорбции находили рН среды, в которой адсорбенты-амфолиты (амфотерные соединения) отщепляют равные (незначительные) количества ионов Н+ и ОН–. В роли таковых выступали ZnTe, CdSe и твердые растворы (ZnTe)x (CdSe)1 – x с характерными изоэлектрическими точками, отвечающими минимуму растворимости. По значениям рНизо судили о средней силе и соотношении кислотных и основных центров.</p><p>Воспроизводимость и точность экспериментальных данных проверяли по результатам параллельных измерений с использованием методов математической статистики и обработки результатов количественного анализа. Статистическую обработку полученных числовых значений, расчет погрешностей измерений, построение и обработку графических зависимостей проводили с использованием компьютерных программ Stat-2, Microsoft Excel и Origin.</p><p> </p><p>Результаты исследований и их обсуждение</p><p>Синтез твердых растворов осуществляли в два этапа: нагрев ампул от 573 до 1273 К и их охлаждение до 725 К [12; 13]. Режим получения твердых растворов представлен в табл. 1.</p><p> </p><p> </p><p>Результаты рентгенографических исследований свидетельствуют об образовании в полученной системе твердых растворов замещения. Линии на штрих-рентгенограммах твердых растворов сдвинуты относительно линий бинарных компонентов [<xref ref-type="bibr" rid="cit14">14</xref>]. Теллурид цинка и твердые растворы с его избытком имеют кубическую структуру (сфалерита), селенид кадмия и твердые растворы с избытком CdSe – гексагональную структуру (вюрцита) [<xref ref-type="bibr" rid="cit15">15</xref>]. </p><p>Зависимости значений параметров (а, с), объема элементарной ячейки (Vp ) кристаллической решетки, межплоскостного расстояния (dhkl ), рентгеновской плотности (ρr ) от состава имеют плавный или линейный характер [<xref ref-type="bibr" rid="cit16">16</xref>]. По уравнению Шеррера рассчитана область когерентного рассеяния.</p><p>Информация о взаимном распределении компонентов получена методом электронной микроскопии на сканирующем электронном микроскопе JCM-5700, снабженном безазотным рентгеновским энергодисперсионным спектрометром. </p><p>На рис. 1 представлены SEM изображения порошков бинарных компонентов и твердых растворов изучаемой системы. </p><p> </p><p> </p><p>На SEM изображениях твердых растворов системы ZnTe – CdSe в режиме фазового контраста на однородном фоне поверхности зерен ZnTe наблюдаются светлые вкрапления CdSe размером менее 5 мкм. Для бинарного компонента ZnTe характерны крупнодисперсные зерна, что наблюдается и в твердых растворах при большем содержании ZnTe (табл. 2). </p><p> </p><p> </p><p>Величину геометрической удельной поверхности, среднеповерхностный, среднечисленный и средневесовой диаметры частиц, коэффициент полидисперсности (табл. 3) систем рассчитывали по формулам:</p><p> </p><p>\[\begin{array}{c}S = \frac{{6\sum {{n_i}d_i^2} }}{{{\rm{\rho }}\sum {{n_i}{d_i}} }} = \frac{6}{{{\rm{\rho }}{d_s}}};\\K = \frac{{{d_n}}}{{{d_q}}},\end{array}\]</p><p> </p><p>где S – удельная геометрическая поверхность, м2/кг; di – средний диаметр частиц фракций; n – число частиц в системе; ρ – рентгеновская плотность частиц; ds , dn , dq – среднеповерхностный, среднечисленный и средневесовой диаметры частиц соответсвенно; K – коэффициент полидисперсности.</p><p> </p><p> </p><p>Изучение химического состава методом кондуктометрического титрования позволило сделать вывод о природе кислотных центров, ответственных за адсорбцию газов на поверхность [<xref ref-type="bibr" rid="cit17">17</xref>], и определить концентрацию кислотных центров на поверхности компонентов системы ZnTe – CdSe. Ответственными за кислотные центры выступают: поверхностные атомы с различной координационной ненасыщенностью – атомы Cd, Zn (льисовские кислотные центры), а также адсорбированные молекулы воды и группы ОН– (бренстедовские центры) [<xref ref-type="bibr" rid="cit18">18</xref>]. Подтверждением этого являются результаты измерения рН изоэлектрического состояния и ИК-спектры поверхности [<xref ref-type="bibr" rid="cit19">19</xref>].</p><p>Зависимость общей концентрации кислотных центров имеет экстремальный характер с максимумом при составах (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 (рис. 2). Таким образом, твердые растворы указанных составов обладают наибольшей кислотностью в первом случае, что говорит о высокой адсорбционной способности поверхности (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 по отношению к основным газам.</p><p> </p><p> </p><p>Повышенную активность поверхности твердых растворов (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 и (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 к основным газам подтверждает и изучение кислотно-основных свойств. Значения рНизо исследуемых полупроводников (табл. 4), экспонированных на воздухе, плавно возрастают с увеличением содержания ZnTe. При воздействии СО на компоненты системы ZnTe – CdSe появляются экстремумы, отвечающие составам (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 и (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 , а в целом отмечается смещение значений рНизо в щелочную область. Это объясняется избыточной электронной плотностью атомов углерода и кислорода и прочной двойной связью между ними. Неподеленные электронные пары СО и свободные орбитали частично гасят на поверхности координационно-ненасыщенные атомы (Zn, Cd), за счет этого и происходит взаимодействие. Подтверждается донорно-акцепторный механизм [<xref ref-type="bibr" rid="cit20">20</xref>].</p><p> </p><p> </p><p>Наибольшая разница значений рНизо у CdSe и твердых растворов, содержащих 26 % ZnTe в CdSe и 68 % ZnTe в CdSе. Эти объекты исследований и рассматривали в качестве чувствительного элемента газоанализатора на угарный газ.</p><p>Поведение рНизо в СО, а также вытекающий из анализа ИК-спектров вывод о повышенной адсорбируемости СО в смеси СО + О2 [<xref ref-type="bibr" rid="cit19">19</xref>] позволяют предварительно (до проведения прямых адсорбционных исследований) прогнозировать высокую каталитическую активность твердых растворов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 , что было подтверждено прямыми каталитическими исследованиями, проведенными при одинаковых условиях (рис. 3).</p><p> </p><p> </p><p>Анализ представленных результатов позволяет говорить о заметном каталитическом превращении СО (χCO ) уже при комнатной температуре: степень превращения СО на компонентах системах состава (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 составляет 79 %. С повышением температуры значения χCO преимущественно возрастают, максимальные значения наблюдаются при 373 К. </p><p>Сравнение данных о степени превращения каталитического окисления и величины адсорбции СО на полупроводниках показало, что CdSe и твердый раствор (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 проявляют более высокую каталитическую активность, что согласуется с исследованиями кислотно-основных свойств поверхности, а ZnTe проявляет меньшую каталитическую активность и адсорбционную способность. </p><p>Таким образом, из бинарных компонентов ZnTe и CdSe синтезированы твердые растворы замещения. Полученные твердые растворы имеют кубическую структуру с избытком теллурида цинка и гексагональную структуру с избытком селенида кадмия. Исследования твердых растворов методом электронной микроскопии подтвердили мольный и элементный состав образцов. </p><p>Для образцов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 удельная поверхность наибольшая. Такая же закономерность по данным образцам прослеживается при изучении природы активных центров поверхности твердых растворов при экспонировании на воздухе и в атмосфере СО методом гидролитической адсорбции, неводного кондуктометрического титрования, что говорит об активной поверхности этих растворов по отношению к угарному газу. Повышенную адсорбируемость в СО и смеси СО + О2 подтверждают и ИК-спектры.</p><p> </p><p>Выводы</p><p>Изучение реакции каталитического окисления СО на образцах системы ZnTe – CdSe предварительно помогло установить температурные области протекания реакции и наиболее каталитически активные компоненты изучаемой системы. Каталитические исследования подтвердили активность твердых растворов (ZnTe)0,26(CdSe)0,74 и (ZnTe)0,68(CdSe)0,32 , что позволяет рекомендовать их к использованию в диагностике окружающей среды для определения угарного газа в рабочей зоне металлургических предприятий.</p><p> </p></body><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fang X., Zhai T., Gautam U.K., Li L., Wu L., Bando Y., Golberg D. ZnS nanostructures: From synthesis to applications. Progress in Materials Science. 2011;56(2):175–287. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2010.10.001</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fang X., Zhai T., Gautam U.K., Li L., Wu L., Bando Y., Golberg D. ZnS nanostructures: From synthesis to applications. Progress in Materials Science. 2011;56(2):175–287. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2010.10.001</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kirovskaya I.A., Nor P.E., Ekkert A.O., Ekkert R.V., Cher­nous N.V. New materials based on the systems InP–CdTe and CdS–CdTe; Their comparative properties. Inorganic Mate­rials: Applied Research. 2023;14(4):1075–1081. https://doi.org/10.1134/s2075113323040214</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Nor P.E., Ekkert A.O., Ekkert R.V., Cher­nous N.V. New materials based on the systems InP–CdTe and CdS–CdTe; Their comparative properties. Inorganic Mate­rials: Applied Research. 2023;14(4):1075–1081. https://doi.org/10.1134/s2075113323040214</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Peter Y.Yu., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Material Properties. Springer; 2010:775. https://doi.org/10.1007/978-3-642-00710-1</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Peter Y.Yu., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Material Properties. Springer; 2010:775. https://doi.org/10.1007/978-3-642-00710-1</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kirovskaya I.A., Nor P.E., Bukashkina T.L., Mironova E.V. Surface properties of semiconductor analogs of CdBVI and their solid substitution solutions. Russian Journal of Physical Chemistry A. 2016;90(3):522–529. https://doi.org/10.1134/S0036024416030213</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Nor P.E., Bukashkina T.L., Mironova E.V. Surface properties of semiconductor analogs of CdBVI and their solid substitution solutions. Russian Journal of Physical Chemistry A. 2016;90(3):522–529. https://doi.org/10.1134/S0036024416030213</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кировская И.А. Физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. Новосибирск: Изд-во СО РАН; 2015:368.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A. Physico-Chemical Properties of Binary and Multicomponent Diamond-Like Semiconductors. Novosibirsk: SB RAS; 2015:368. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Смыслов Е.Ф. Экспрессный рентгеновский метод определения периода решетки нанокристаллических мате­риалов. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2006;72(5):33–34.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Smyslov E.F. Express X-ray method for determining the lattice period of nanocrystalline materials. Industrial laboratory. Diagnostics of materials. 2006;72(5):33–34. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электроннооптический анализ. Москва: Металлургия; 1970:366.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gorelik S.S., Rastorguev L.N., Skakov Yu.A. Radiographic and Electron-Optical Analysis. Moscow: Metallurgiya; 1970:366. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Федяева О.А., Васина М.В., Пошелюжная Е.Г. Рентгеновские и электронно-микроскопические исследования системы ZnTe–CdSe. Журнал неорганической химии. 2014;59(2):172–175. https://doi.org/10.7868/S0044457X14020068</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fedyaeva O.A., Vasina M.V., Poshelyuzhnaya E.G. X-ray powder diffraction and electron microscopic studies of the ZnTe–CdSe system. Russian Journal of Inorganic Che­mistry. 2014;59(2):172–175. (In Russ.). https://doi.org/10.7868/S0044457X14020068</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кларк Э.Р., Эберхардт К.Н. Микроскопические мето­­ды исследования материалов. Москва: Техносфера; 2007:375.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Clarke A.R., Eberhardt C.N. Microscopy Techniques for Materials Science. Elsevier; 2002:456.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического применения / М.М. Криштал, И.С. Ясников, В.И. Полунин. Москва: Техносфера; 2009:206.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Krishtal M.M., Yasnikov I.S., Polunin V.I. Scanning Electron Microscopy and X-ray Spectral Microanalysis in Practical Applications. Moscow: Technosfera; 2009:206. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кировская И.А. Катализ. Полупроводниковые катализаторы. Омск: Изд-во ОмГТУ; 2004:272.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A. Catalysis. Semiconductor Catalysts. Omsk: OmSTU; 2004:272. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Charbonnier M., Murat M. Sur la détermination des diagrammes de phases à température ambiante des sulfures mixtes appartenant aux systèmes Zn-Cd-S, Zn-Hg-S, Cd-Hg-S. Comptes Rendus de l’Académie des Sciences. 1974;278(4):259–261. (In French).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Charbonnier M., Murat M. Sur la détermination des diagrammes de phases à température ambiante des sulfures mixtes appartenant aux systèmes Zn-Cd-S, Zn-Hg-S, Cd-Hg-S. Comptes Rendus de l’Académie des Sciences. 1974;278(4):259–261. (In French).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Cherin P., Lind E.L., Davis E.A. The preparation and crystallography of cadmium zinc sulfide solid solutions. Journal of the Electrochemical Society. 1970;117(2):233–236.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Cherin P., Lind E.L., Davis E.A. The preparation and crystallography of cadmium zinc sulfide solid solutions. Journal of the Electrochemical Society. 1970;117(2):233–236.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кировская И.А., Васина М.В. Структура и кислотно-основные свойства поверхности полупроводников системы ZnTe–CdSe. Журнал физической химии. 2014;88(10): 1569–1576. https://doi.org/10.7868/S0044453714100227</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Vasina M.V. Structure and acid-base pro­perties of the surface of semiconductors of the ZnTe–CdSe system. Zhurnal fizicheskoi khimii. 2014;88(10):1569–1576. (In Russ.). https://doi.org/10.7868/S0044453714100227</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Čapek R.K., Moreels I., Lambert K., De Muynck D., Zhao Q., Tomme A.V., Vanhaecke F., Hens Z. Optical pro­perties of zincblende cadmium selenide quantum dots. Journal of Physical Chemistry C. 2010;114(14):6371–6376. https://doi.org/10.1021/jp1001989</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Čapek R.K., Moreels I., Lambert K., De Muynck D., Zhao Q., Tomme A.V., Vanhaecke F., Hens Z. Optical pro­perties of zincblende cadmium selenide quantum dots. Journal of Physical Chemistry C. 2010;114(14):6371–6376. https://doi.org/10.1021/jp1001989</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Goldstein J.I., Newbury D.E., Echlin P., Joy D.C., Lyman C.E., Lifshin E., Sawyer L., Michael J.R. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis. New York: Plenum Press; 2003:708. https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0215-9</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Goldstein J.I., Newbury D.E., Echlin P., Joy D.C., Lyman C.E., Lifshin E., Sawyer L., Michael J.R. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis. New York: Plenum Press; 2003:708. https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0215-9</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kirovskaya I.A., Ekkert R.V., Umansky I.Yu., Ekkert A.O., Kropotin O.V. Comparison of the bulk and surface properties of InBV–ZnS semiconductor solid solutions. Semiconductors. 2020;54(11):1459–1466. https://doi.org/10.1134/S1063782620110147</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Ekkert R.V., Umansky I.Yu., Ekkert A.O., Kropotin O.V. Comparison of the bulk and surface properties of InBV–ZnS semiconductor solid solutions. Semiconductors. 2020;54(11):1459–1466. https://doi.org/10.1134/S1063782620110147</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кировская И.А., Васина М.В., Миронова Е.В., Бруе­­ва О.Ю., Эккерт А.О., Жигарова О.Ю. Относительное влияние бинарных компонентов на объемные и поверхностные свойства твердых растворов систем GaAs–CdSe и ZnTe–CdSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2021;(4):12–18. https://doi.org/10.31857/S1028096021040051</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Vasina M.V., Mironova E.V., Brueva O.Yu., Ekkert A.O., Zhigarova O.Yu. Relative influence of binary components on the bulk and surface properties of GaAs–CdSe and ZnTe–CdSe solid solutions. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2021;15(2): 321–326. (In Russ.). https://doi.org/10.1134/S1027451021020233</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кировская И.А., Васина М.В., Юрьева А.В., Шалае­­ва М.Е., Еремин Е.Н., Матяш Ю.И., Корнеев С.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверх­ности твердых растворов (ZnTe)x(CdSe)1–x. Омский научный вестник. 2014;(1(127)):32–37.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kirovskaya I.A., Vasina M.V., Yuryeva A.V., Shalae­­va M.E., Eremin E.N., Matyash Yu.I., Korneev S.A. Chemical composition and acid-base surface properties of solid solutions (ZnTe)x(CdSe)1–x . Omsk Scientific Bulletin. 2014;(1(127)):32–37. (In Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Aven M. Mobility of holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. Journal of Applied Physics. 1967; 38(11):4421–4430. https://doi.org/10.1063/1.1709141</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Aven M. Mobility of holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. Journal of Applied Physics. 1967; 38(11):4421–4430. https://doi.org/10.1063/1.1709141</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
